가열판(발열체)의 원리
원리
MoSi2를 첨가하여 임의로 손실탄젠트 값을 조정한 산화물유전체(Al2O3, ZnO, ZrO2, CuO, Fe2O3, BaTiO3 등 MW 흡수 발열이 가능한 산화물)와 상온에서 MW 흡수-발열이 가능한 SiC를 복합 적용하여, MW 흡수에 따른 연속적 온도 상승
특징
MW의 흡수가 가능한 재료의 손실탄젠트 범위에 따라 상온에서는 SiC의 발열에 의해 온도상승이 이루어지고, 고온영역에서는 복합유전체의 발열에 의해 온도상승이 이루어지는 발열 시스템으로서, 급속 승온 및 반복 승온이 안정적으로 가능
서로 다른 tan δ를 갖는 MoSi2 첨가 유전체의 온도구간별 배치를 통해 기존 발열체의 승온 한계점과 승온 속도를 동시에 개선한, 효율적이며 안정적인 마이크로웨이브 흡수 발열체
[재료 별 tan δ 및 마이크로웨이브 흡수-발열 현상이 일어나는 tan δ 범위]
발열체 승온 곡선 비교














































